梓冠光電的單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下,硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平,單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
一、單片集成 6 比特光延時芯片特性
高速切換
高延時精度
超小尺寸
超寬帶工作
全固態波導芯片可靠性強
二、單片集成 6 比特光延時芯片應用
光控相控陣雷達系統、電子對抗系統
三、單片集成 6 比特光延時芯片規格參數
性能指標 | 單位 | 典型值 | 備注 |
延時位數 | / | 6 | 可定制 |
最小延時步進 | ps | 59.2 | 可定制 |
可調節最大延時量 | ps | 3729.6 | |
延時偏差 | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延時切換時間 | μs | ≤1 | |
插入損耗 | dB | 14 | |
各延時態損耗差異 | dB | ±0.5 | |
波損耗 | dB | 45 | |
芯片尺寸 | mm | 22×10×0.7 |
〖電管腳定義 Pin definition〗
〖延時量和光開關傳輸狀態對應關系〗
〖芯片尺寸(單位:mm)
四川梓冠光電生產的硅基器件芯片系列包括:硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片、硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片、單片集成 6 比特光延時芯片、SOI芯片可調光濾波器陣列、SOI芯片光電探測器陣列、SOI高速多通道光衰減器、SOI高速光開關陣列等,歡迎咨詢!