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    硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片
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    詳細信息

    硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片

    〖簡介Introduction

     單片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術,是目前綜合性能最優和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構,芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路,延時切換時間達到 200ns 以下,最大總時延量 1022ps;延時精度 0.5ps,片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統采用微波傳輸線的電時延芯片,光時延器可以適用任意的微波和毫米波頻段,具有極低的串擾和極高的非目標時延信號消光比。最大時延 1ns 的 9bit 可調光延時芯片尺寸小至 2cm×1.5cm,大幅度減小系統體積;由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個數量級的頻率比,光子集成的時延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力,適合各類超寬帶相控陣的波束合成應用。

    特性

    • 高速切換(100~200ns)
    • 高延時精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可達)
    • 超小尺寸
    • 超寬帶工作
    • 全固態波導芯片可靠性強
    • 大時延范圍(~2ns 可達)
    • 高功率耐受度( 23dBm 典型值)

    應用

    • 光控相控陣系統、超寬帶光域信號處理

    主要性能指標

    性能指標Parameter

    單位Unit

    典型值Typ.

    備注Notes

    工作波長Operationwavelength

    nm

    1530-1570

     

    延時位數Delay bits

    /

    9

    可定制Can be customized

    最小延時步進Min.step-delay

    ps

    2

    可定制Can be customized

    可調節最大延時量Adjustable max.delay

    ps

    1022

     

    延時精度Time-delay accuracy

     

    ps

    ±0.5

    ≤16ps 延時量 delay time

    ±1

    18~64ps 延時量delay time

    ±2

    66~512ps 延時量delay time

    ±3

    514~1022ps 延時量delay time

    延時切換時間Delay switching time

    ns

    200

     

    插入損耗Insertion loss

    dB

    11

    13dB max

    各延時態損耗差異Delay state loss difference

    dB

    ±1

     

    最大耐受光功率Max. tolerance opticl power

    dBm

    23

    26dBm max

    回波損耗Return loss

    dB

    45

     

    芯片尺寸Chip dimension

    mm

    20×15×0.7


    芯片尺寸(單位:mm)示意圖



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